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工信部:推动半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业

关键词:    发布时间:2019年10月29日   点击次数:651次

工信部:推动半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业

新京报 2019-10-08 16:06:30

新京报讯(记者 许诺 陈维城)2019年10月8日,工信部在其官网上公开了《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案答复的函》,其中指出,工信部等部门将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展,根据产业发展形势,调整完善政策实施细则,更好的支持产业发展。通过行业协会等加大产业链合作力度,深入推进产学研用协同,促进产业的技术迭代和应用推广。

工信部在函中指出,为推动我国工业半导体材料、芯片、器件及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块产业发展,工信部、发展改革委及相关部门,积极研究出台政策扶持产业发展。

2014年国务院发布的《推进纲要》中,已经将工业半导体芯片相关产品作为发展重点,通过资金、应用、人才等方面政策推动产业进步。发展改革委、工信部研究制定了集成电路相关布局规划,推动包括工业半导体材料、芯片等产业形成区域集聚、主体集中的良性发展局面。

按照国发〔2011〕4号文件的有关要求,工信部等部委对符合条件的工业半导体芯片设计、制造等企业的企业所得税、进口关税等方面出台了多项税收优惠政策,对相关领域给予重点扶持。围绕能源、交通等国家重点工业领域,充分发挥相关行业组织作用,通过举办产用交流对接会、新产品推介会、发布典型应用示范案例等方式,为我国工业半导体芯片企业和整机企业搭建交流合作平台。

工信部在函中指出,近年来,我国集成电路产业发展取得了长足进步,但是核心技术受制于人的局面仍然没有根本改变,急需加强核心技术攻关,保障供应链安全和产业安全。在当前复杂的国际形势下,工业半导体材料、芯片、器件及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的发展滞后将制约我国新旧动能转化及产业转型,进而影响国家经济发展。




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